MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AUIRF7103QTR, VDSS 50 V, ID 3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 222-4608
- Referência do fabricante:
- AUIRF7103QTR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4608
- Referência do fabricante:
- AUIRF7103QTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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