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    MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si

    Código RS:
    124-8828
    Referência do fabricante:
    SPP80P06PHXKSA1
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon
    Ver tudo MOSFET
    1900 Disponível para entrega em 24/48 horas
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    unidades

    Adicionado

    Preço unitário (Em Tubo de 50)

    4,236 €

    unidadesPor unidadePor Tubo*
    50 - 2004,236 €211,80 €
    250 - 4503,491 €174,55 €
    500 +3,152 €157,60 €
    *preço indicativo
    Código RS:
    124-8828
    Referência do fabricante:
    SPP80P06PHXKSA1
    Fabricante:
    Infineon
    COO (País de Origem):
    MY

    Legislação e Conformidade

    COO (País de Origem):
    MY

    Detalhes do produto

    MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®


    Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.


    · Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
    · chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS



    Transistores MOSFET, Infineon


    Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.


    Especificações

    AtributoValor
    Tipo de CanalP
    Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
    Tipo de EncapsuladoTO-220
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente23 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima4V
    Tensión de umbral de puerta mínima2.1V
    Disipación de Potencia Máxima340 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
    Material del transistorSi
    Carga Típica de Puerta @ Vgs115 nC a 10 V
    Longitud10.36mm
    Número de Elementos por Chip1
    Ancho4.57mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    SerieSIPMOS
    Altura15.95mm
    Tensión de diodo directa1.6V
    1900 Disponível para entrega em 24/48 horas
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