MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC094N06LS5ATMA1, VDSS 60 V, ID 47 A, Mejora, SuperSO de 8 pines
- Código RS:
- 215-2465
- Referência do fabricante:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2465
- Referência do fabricante:
- BSC094N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | SuperSO | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado SuperSO | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El nivel lógico de MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Las cifras de mérito mejoradas permiten operaciones con altas frecuencias de conmutación. Además, el accionamiento de nivel lógico proporciona una tensión de umbral de puerta baja (V GS(the)) que permite accionar los MOSFET en 5V y directamente desde microcontroladores.
R DS(on) bajo en encapsulado pequeño
Carga de puerta baja
Menor carga de salida
Compatibilidad de nivel lógico
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