MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC034N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

9,60 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 14.920 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
20 - 800,48 €9,60 €
100 - 1800,456 €9,12 €
200 - 4800,437 €8,74 €
500 - 9800,418 €8,36 €
1000 +0,389 €7,78 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
215-2459
Referência do fabricante:
BSC034N03LSGATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

SuperSO

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie OptiMOS™3 Power-MOSFET de Infineon tiene tensión de fuente de drenaje máxima 30V con tipo de encapsulado SuperSO8 5x6. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la menor resistencia de estado de conexión en encapsulados de tamaño pequeño, convierten al OptiMOS™ 25V en la mejor opción para los exigentes requisitos de soluciones de regulador de tensión en servidores, comunicaciones de datos y aplicaciones de telecomunicaciones. Los productos OptiMOS™ 30V se adaptan a las necesidades de gestión de potencia en portátiles gracias a un comportamiento EMI mejorado, así como a una mayor duración de la batería. Disponible en configuración de medio puente (fase de alimentación 5x6).

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Canal N.; Nivel lógico

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Resistencia térmica superior

Links relacionados