MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI80N06S4L07AKSA2, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9068
- Referência do fabricante:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
17,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 250 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,74 € | 17,40 € |
| 50 - 90 | 1,654 € | 16,54 € |
| 100 - 240 | 1,584 € | 15,84 € |
| 250 - 490 | 1,514 € | 15,14 € |
| 500 + | 1,41 € | 14,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9068
- Referência do fabricante:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 23.45mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 23.45mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
El producto tiene certificación AEC Q101
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Prueba de avalancha al 100 %
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI80N06S407AKSA2, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI120N08S403AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 33 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, TO-262 de 3 pines