MOSFET Infineon IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 892-2166
Referência do fabricante:: IPI086N10N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 892-2166
Referência do fabricante:: IPI086N10N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

IPP086N10N3 G, IPI086N10N3 G, IPB083N10N3 G, IPD082N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	I2PAK (TO-262)
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	15,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Ancho	4.572mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	42 nC a 10 V
Longitud	10.36mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	11.177mm

MOSFET Infineon IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior