MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines

Código RS:: 892-2166
Referência do fabricante:: IPI086N10N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines

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Código RS:: 892-2166
Referência do fabricante:: IPI086N10N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	80A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	OptiMOS 3
	Encapsulado	TO-262
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	15.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	125W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	42nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.36mm
	Anchura	4.57 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	11.177mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 80A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie OptiMOS 3
	Encapsulado TO-262
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 125W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.36mm
	Anchura 4.57 mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 11.177mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 80 A, disipación de potencia máxima de 125 W - IPI086N10N3GXKSA1

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia y es adecuado para diversos sectores, como la automatización y la electrónica. Con una corriente de drenaje continua de 80 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, ofrece una solución fiable y eficiente para sistemas electrónicos.

Características y ventajas

• El diseño de canal N optimiza el rendimiento eléctrico

• El bajo RDS(on) reduce las pérdidas de potencia

• Alta capacidad de disipación de energía para aplicaciones intensivas

• El umbral de puerta mejorado aumenta la eficiencia de la conmutación

• El montaje con orificios pasantes permite una fácil integración en los circuitos

Aplicaciones

• Se utiliza para la conmutación de alta frecuencia en fuentes de alimentación

• Facilita la rectificación síncrona en circuitos convertidores

• Adecuado para sistemas de automatización industrial que requieren un control eficiente de la potencia

• Se aplica en diversos dispositivos electrónicos para mejorar la eficiencia energética

• Apropiado para automoción exigir un rendimiento constante

¿Cuál es el significado del bajo RDS(on) en este dispositivo?

El bajo valor RDS(on) minimiza las pérdidas de energía durante la conmutación, lo que aumenta el rendimiento general del sistema.

¿Cómo soporta el MOSFET las altas temperaturas?

Está diseñado para funcionar a temperaturas de hasta 175 °C, lo que garantiza un rendimiento constante incluso en condiciones ambientales difíciles.

¿Qué tipo de montaje requiere este componente?

Presenta un diseño de montaje con orificios pasantes que facilita la integración directa en los diseños de placas de circuito impreso existentes.

¿Es adecuado para su uso en rectificación síncrona?

Sí, está diseñado específicamente para la rectificación síncrona eficiente en electrónica de potencia, fomentando el ahorro energético global.

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.