MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de mejora del nivel lógico de

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Código RS:
214-9061
Referência do fabricante:
IPG20N06S4L11AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

1.3V

Configuración de transistor

Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1mm

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS, MSL1, AEC Q101

Anchura

5.9mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. El modo de mejora del nivel lógico de canal N doble es factible para la inspección óptica automática (AOI). Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia.

El producto tiene certificación AEC Q101

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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