MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de mejora del nivel lógico
- Código RS:
- 214-9061
- Referência do fabricante:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
2 620,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- 10.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,524 € | 2 620,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9061
- Referência do fabricante:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±16 V | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Anchura | 5.9 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±16 V | ||
Configuración de transistor Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 5.15mm | ||
Anchura 5.9 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L11ATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de
- MOSFET Infineon, Doble N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, config. Modo de mejora del nivel lógico de
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Doble N de 8 pines, config. Modo de mejora del nivel lógico
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L11AATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de
- MOSFET Infineon, Doble N-Canal IPG20N06S4L11ATMA2, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, config. Modo de mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N04S4L08AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de