MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-8960
- Referência do fabricante:
- AUIRFS8407TRL
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Informação de stock atualmente indisponível
- Código RS:
- 214-8960
- Referência do fabricante:
- AUIRFS8407TRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Nueva resistencia de conexión ultrabaja
Apto para automoción
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFS8407TRL, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB64N25S320ATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS7437TRLPBF, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
