MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 250 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-8960
Referência do fabricante:
AUIRFS8407TRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

250A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Nueva resistencia de conexión ultrabaja

Apto para automoción

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