MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 82 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-4443
Referência do fabricante:
IRF2807STRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

82A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

160nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon HEXFET Power utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja se combina con la velocidad de conmutación rápida y la resistencia el diseño del dispositivo proporciona un dispositivo fiable y eficiente

Es totalmente avalancha nominal

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