MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R180P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4386
- Referência do fabricante:
- IPD60R180P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4386
- Referência do fabricante:
- IPD60R180P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 72W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.65mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 72W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.65mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión MOS P7 600V Cool sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
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