MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R180P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4384
- Referência do fabricante:
- IPD60R180P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
10,18 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 2380 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,018 € | 10,18 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4384
- Referência do fabricante:
- IPD60R180P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 72W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.65mm | |
| Anchura | 6.42 mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 72W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.65mm | ||
Anchura 6.42 mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R180P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 10 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 14.7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines