MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R120P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 26 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4368
- Referência do fabricante:
- IPB60R120P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4368
- Referência do fabricante:
- IPB60R120P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 95W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.02mm | |
| Altura | 4.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 95W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.02mm | ||
Altura 4.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
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