MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 49 A, N, SuperSO de 8 pines
- Código RS:
- 214-4327
- Referência do fabricante:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 214-4327
- Referência do fabricante:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 80 V, corriente de drenaje continua de 49 A - BSC117N08NS5ATMA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango ambiente y es adecuado para aplicaciones que requieren una conducción eficiente y un comportamiento de conmutación rápido. El dispositivo se suministra en un encapsulado SuperSO de ocho contactos y está diseñado para usar donde se requiere una baja resistencia de conexión y una capacidad de corriente de drenaje considerable.
Características y ventajas:
• Rds(on) de 11,7 mΩ que permite reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua de 49 A para el manejo de cargas pesadas
• Valor nominal de drenaje-fuente de 80 V para conmutación de alta tensión
• Carga de puerta de 15 nC para un control de conmutación sensible
• Disipación de potencia máxima de 50 W para un rendimiento térmico robusto
• Corriente de drenaje continua de 49 A para el manejo de cargas pesadas
• Valor nominal de drenaje-fuente de 80 V para conmutación de alta tensión
• Carga de puerta de 15 nC para un control de conmutación sensible
• Disipación de potencia máxima de 50 W para un rendimiento térmico robusto
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de alta eficiencia en electrónica
• Ideal para convertidores dc-dc y rectificación síncrona
• Se utiliza con controladores de motor que requieren una capacidad de corriente elevada
• Puede utilizarse para telecomunicaciones y distribución de energía de servidor
• Apto para montajes compactos de montaje en superficie de alta densidad
• Ideal para convertidores dc-dc y rectificación síncrona
• Se utiliza con controladores de motor que requieren una capacidad de corriente elevada
• Puede utilizarse para telecomunicaciones y distribución de energía de servidor
• Apto para montajes compactos de montaje en superficie de alta densidad
¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, adaptándose a condiciones térmicas hostiles.
¿Cómo ayuda el paquete al diseño a nivel de placa?
La disposición de ocho contactos SuperSO y la altura de perfil bajo de 1,2 mm permiten una colocación densa de componentes y un enrutamiento de baja inductancia.
¿Cuál es la tensión directa típica durante la conducción?
El dispositivo presenta una tensión directa de 1,1 V en condiciones de conducción especificadas, lo que afecta a los cálculos de pérdida de conducción.
¿Qué tensión de puerta máxima debe permitir el diseño?
La puerta debe accionarse dentro de ±20 V para evitar exceder la tensión nominal máxima de puerta-fuente.
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