MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 30 V, ID 60 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- Código RS:
- 213-9205
- Referência do fabricante:
- DMT35M4LFVW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9205
- Referência do fabricante:
- DMT35M4LFVW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerDI3333 | |
| Serie | DMT35M4LFVW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.85mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerDI3333 | ||
Serie DMT35M4LFVW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.85mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
DiodesZetex serie DMT35M4LFVW es un MOSFET de canal N diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Conmutación inductiva sin fijación 100 %
Prueba en producción: Garantiza un extremo más fiable y robusto aplicación
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