MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 31.8 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- Código RS:
- 222-2876
- Referência do fabricante:
- DMT6015LFVW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 222-2876
- Referência do fabricante:
- DMT6015LFVW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Encapsulado | PowerDI3333 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 28.4W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie DMT | ||
Encapsulado PowerDI3333 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 28.4W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
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