MOSFET, N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 10.5 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- Código RS:
- 213-9148
- Referência do fabricante:
- DMN10H220LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9148
- Referência do fabricante:
- DMN10H220LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerDI3333 | |
| Serie | DMN10H220LDV | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 222mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerDI3333 | ||
Serie DMN10H220LDV | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 222mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.4mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN10H220LDV está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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