MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4991
- Referência do fabricante:
- SIHP15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
58,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 900 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,16 € | 58,00 € |
| 100 - 200 | 1,091 € | 54,55 € |
| 250 - 450 | 0,986 € | 49,30 € |
| 500 - 1200 | 0,928 € | 46,40 € |
| 1250 + | 0,87 € | 43,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-4991
- Referência do fabricante:
- SIHP15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 304mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.24mm | |
| Anchura | 9.96 mm | |
| Longitud | 27.69mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 304mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.24mm | ||
Anchura 9.96 mm | ||
Longitud 27.69mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado TO-220AB con corriente de drenaje de 13 A.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP15N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP80R360P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA80R360P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 7.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines