MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 210-4991
- Referência do fabricante:
- SIHP15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
76,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 850 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,524 € | 76,20 € |
| 100 - 200 | 1,433 € | 71,65 € |
| 250 - 450 | 1,296 € | 64,80 € |
| 500 - 1200 | 1,219 € | 60,95 € |
| 1250 + | 1,143 € | 57,15 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-4991
- Referência do fabricante:
- SIHP15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 304mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.96mm | |
| Longitud | 27.69mm | |
| Altura | 4.24mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 304mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.96mm | ||
Longitud 27.69mm | ||
Altura 4.24mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 13 A - SIHP15N80AE-GE3
Características y ventajas:
Aplicaciones
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
¿Qué estilo de montaje requiere para el montaje?
¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta deben observarse?
¿Cómo debe gestionarse la gestión térmica para un funcionamiento fiable?
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP11N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4.4 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP24N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 20 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SiHP080N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP6N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 6 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
