MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
206-9728
Referência do fabricante:
TK090Z65Z,S1F(O
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

TK090Z65Z

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.7V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

40.96mm

Anchura

15.94 mm

Altura

5mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.

Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

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