MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

16,01 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 80 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 88,005 €16,01 €
10 - 186,22 €12,44 €
20 - 246,10 €12,20 €
26 - 485,605 €11,21 €
50 +5,08 €10,16 €

*preço indicativo

Código RS:
206-9724
Referência do fabricante:
TK090A65Z,S4X(S
Fabricante:
Toshiba
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

TK090A65Z

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

28mm

Altura

2.7mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.

Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.