MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

13,43 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 192 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 +6,715 €13,43 €

*preço indicativo

Código RS:
206-9726
Referência do fabricante:
TK090N65Z,S1F(S
Fabricante:
Toshiba
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

TK090N65Z

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Tensión directa Vf

-1.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

15.94 mm

Altura

5.02mm

Longitud

40.02mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.

Resistencia de conexión de fuente-drenaje baja 0,075 ?

Temperatura de almacenamiento: -55 a 150 °C.

Links relacionados