MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STO67N60M6, VDSS 600 V, ID 34 A, Mejora de 8 pines

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Código RS:
206-8633
Referência do fabricante:
STO67N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

54mΩ

Modo de canal

Mejora

La tecnología MDmesh M6 de STMicroelectronics incorpora los últimos avances de la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para una máxima eficiencia de la aplicación final.

Reducción de pérdidas de conmutación

RDS(on) inferior por área en comparación con la generación anterior

Resistencia de entrada de puerta baja

100 % a prueba de avalancha

Protegido por Zener

Encapsulado de alta separación

Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional