MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STO67N60M6, VDSS 600 V, ID 34 A, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 206-6070
- Referência do fabricante:
- STO67N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 206-6070
- Referência do fabricante:
- STO67N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 600 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 34 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 54 mΩ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | STO67N60M6 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 600 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 34 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 54 mΩ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie STO67N60M6 | ||
The STMicroelectronics MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
High creepage package
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
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