MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiDR104ADP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 204-7220
- Referência do fabricante:
- SiDR104ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
14,09 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 03 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,409 € | 14,09 € |
| 50 - 90 | 1,176 € | 11,76 € |
| 100 - 240 | 1,145 € | 11,45 € |
| 250 - 490 | 1,116 € | 11,16 € |
| 500 + | 1,087 € | 10,87 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 204-7220
- Referência do fabricante:
- SiDR104ADP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 81A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SiDR104ADP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 81A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SiDR104ADP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 100 V (D-S) tiene una figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja. Está ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
100 % RG y prueba UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR104ADP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR104LDP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR870BDP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR5112DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 42.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR5110DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 47.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR5108DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 55.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS4600DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 334 A, Mejora, SO-8 de 8 pines