MOSFET, N-Canal onsemi NVTFS6H888NLTAG, VDSS 80 V, ID 14 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 202-5751
- Referência do fabricante:
- NVTFS6H888NLTAG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NVT | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 23W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.55mm | |
| Anchura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 3.55mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NVT | ||
Encapsulado WDFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 23W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.55mm | ||
Anchura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 3.55mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N de on Semiconductor funciona con 14 amperios y 80 voltios. Tiene un tamaño pequeño para un diseño compacto con baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción.
Certificación AEC Q101
En conformidad con RoHS
Sin plomo
Producto de flanco sumergible
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