Módulos MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTWA30N120, VDSS 1200 V, ID 45 A, Hip-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-5493
- Referência do fabricante:
- SCTWA30N120
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5493
- Referência do fabricante:
- SCTWA30N120
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.09Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.09Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se produce aprovechando las propiedades avanzadas e innovadoras de los materiales de amplia separación de banda. Esto da como resultado una resistencia de encendido sin precedentes por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia