Módulos MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCTWA30N120, VDSS 1.2 kV, ID 45 A, Hip-247, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-5493
- Referência do fabricante:
- SCTWA30N120
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5493
- Referência do fabricante:
- SCTWA30N120
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 45 A | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.09 Ω | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | SCT | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 45 A | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Modo de canal Reducción | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.09 Ω | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie SCT | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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