MOSFET, N-Canal onsemi NVMYS021N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 27 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
195-2550
Referência do fabricante:
NVMYS021N06CLTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NVMYS021N06CL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.15mm

Anchura

4.25mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Capacidad PPAP

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