MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMJS1D5N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- Código RS:
- 195-2505
- Referência do fabricante:
- NTMJS1D5N04CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
40,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 27 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 2,015 € | 40,30 € |
| 200 - 480 | 1,737 € | 34,74 € |
| 500 + | 1,506 € | 30,12 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 195-2505
- Referência do fabricante:
- NTMJS1D5N04CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NTMJS1D5N04CL | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.15mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NTMJS1D5N04CL | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.15mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
Encapsulado Lfpak8, Estándar Del Sector
Estos dispositivos no contienen plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMJS1D5N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 300 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 35 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 38 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 250 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 164 A, Mejora, LFPAK de 8 pines