MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 195-2500
- Referência do fabricante:
- NTHL040N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 159nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Anchura | 4.82 mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 159nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.87mm | ||
Anchura 4.82 mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Estándar de automoción No | ||
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia. El rendimiento de recuperación inversa optimizado de MOSFET SuperFET III FRFET® puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.
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