MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 195-2500
- Referência do fabricante:
- NTHL040N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 159nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.82 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTHL | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 159nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.82 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia. El rendimiento de recuperación inversa optimizado de MOSFET SuperFET III FRFET® puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.
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