MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 186-1285
- Referência do fabricante:
- NVHL110N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 186-1285
- Referência do fabricante:
- NVHL110N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.82 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.82 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não conforme
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150°C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 93 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
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