MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 300 V, ID 53 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 192-4651
- Referência do fabricante:
- STB45N30M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 192-4651
- Referência do fabricante:
- STB45N30M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 53A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 300V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.04Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 95nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.35 mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.37mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 53A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 300V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.04Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 95nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.35 mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.37mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este dispositivo es un MOSFET de potencia de canal N basado en la innovadora tecnología de proceso vertical MDmesh™ M5 combinada con el conocido diseño horizontal PowerMESH™. El producto resultante ofrece una resistencia extremadamente baja, lo que lo hace particularmente adecuado para aplicaciones que requieren una alta potencia y una eficiencia superior.
RDS (encendido) extremadamente bajo
Carga de puerta baja y capacitancia de entrada
Excelente rendimiento de conmutación
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