MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD13N60DM2, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
188-8407
Referência do fabricante:
STD13N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.17mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.2 mm

Estándar de automoción

No

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Applications

Switching applications

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