MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 165-6590
- Referência do fabricante:
- STD15N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
3 182,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 26 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 1,273 € | 3 182,50 € |
| 5000 + | 1,231 € | 3 077,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-6590
- Referência do fabricante:
- STD15N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 340mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 85W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 340mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 85W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD15N65M5, VDSS 710 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 15 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD18N65M5, VDSS 710 V, ID 15 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD8N65M5, VDSS 710 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD13NM60N, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD13NM60ND, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines