MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8284
- Referência do fabricante:
- STB80NF55-06T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 2000 para poupar 7%
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
1 142,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 02 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 1,142 € | 1 142,00 € | - |
| 2000 + | 1,054 € | 1 054,00 € | 7% |
*preço indicativo
- Código RS:
- 188-8284
- Referência do fabricante:
- STB80NF55-06T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 142nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.37mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 142nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.37mm | ||
Estándar de automoción No | ||
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Exceptional dv/dt capability
Application oriented characterization
Applications
Switching application
Applications
Switching application
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STB80NF55-06T4, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STB80NF55L-06T4, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 55 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STB55NF06LT4, VDSS 60 V, ID 55 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 55 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 94 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines