MOSFET, N-Canal Vishay SISS26LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 81.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 188-5033
- Referência do fabricante:
- SISS26LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 81.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS26LDN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.78mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 81.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS26LDN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.78mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET N-Channel 60 V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM)
Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM
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