MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 850 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 188-4911
- Referência do fabricante:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-4911
- Referência do fabricante:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 850mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 530mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 850mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado US | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 530mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Automotriz Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.
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