MOSFET Vishay, N-Canal SQ1922AEEH-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 850 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

456,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,152 €456,00 €

*preço indicativo

Código RS:
188-4911
Referência do fabricante:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

850mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

US

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

530mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.9nC

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1mm

Anchura

1.35mm

Longitud

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Automotriz Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.

MOSFET de potencia TrenchFET®

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.