MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 62 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 230-9084
- Referência do fabricante:
- NTH4LN040N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
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- 230-9084
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- NTH4LN040N65S3H
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- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 379W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 132nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Altura | 13.28mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 379W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 132nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Altura 13.28mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET SUPERFET III serie ON Semiconductor es una nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por lo tanto, la serie SUPERFET III MOSFET FAST ayuda a minimizar varios sistemas de potencia y mejorar la eficiencia del sistema.
100 % a prueba de avalancha
Compatible con RoHS
Típ. RDS(ON) = 32 mΩ
Resistencia de puerta interna: 0,7 Ω
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. QG = 132 nC)
700 V a TJ = 150 oC
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