Referência do fabricante

MOSFET onsemi, N-Canal, VDSS 30 V, ID 2.9 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 184-4217
Referência do fabricante:: FDMA2002NZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, N-Canal, VDSS 30 V, ID 2.9 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 184-4217
Referência do fabricante:: FDMA2002NZ
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	PowerTrench
	Encapsulado	WDFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	268mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	1.5W
	Tensión directa Vf	900mV
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Anchura	2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2mm
	Altura	750μm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie PowerTrench
	Encapsulado WDFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 268mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 1.5W
	Tensión directa Vf 900mV
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Anchura 2mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2mm
	Altura 750μm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet FDMA2002NZ

COO (País de Origem):: TH

This device is designed specifically as a single package solution for dual switching requirements in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent N-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET 2x2 offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

2.9 A, 30 V

RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V

RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2.5 V

Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package MicroFET 2x2 mm

HBM ESD protection level=1.8kV (Note 3)

Free from halogenated compounds and antimony oxides

Applications

This product is general usage and suitable for many different applications

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