MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDMC7208S, VDSS 30 V, ID 16 A, WDFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 806-3490
- Referência do fabricante:
- FDMC7208S
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 806-3490
- Referência do fabricante:
- FDMC7208S
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench, SyncFET | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.9W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3 mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie PowerTrench, SyncFET | ||
Encapsulado WDFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.9W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3 mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET doble SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Diseñado para minimizar las pérdidas de conversión de potencia, al tiempo que mantiene un excelente rendimiento de conmutación
Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente baja.
SyncFET™ se beneficia del eficaz diodo de cuerpo Schottky
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Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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