Referência do fabricante

Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal NTJD4401NT1G, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 184-1229
Referência do fabricante:: NTJD4401NT1G
Fabricante:: onsemi

Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal NTJD4401NT1G, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 184-1229
Referência do fabricante:: NTJD4401NT1G
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	Pequeña señal
	Corriente continua máxima de drenaje ld	910mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SC-88
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	440mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	550mW
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.3nC
	Tensión directa Vf	0.76V
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.2mm
	Anchura	1.35 mm
	Altura	1mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto Pequeña señal
	Corriente continua máxima de drenaje ld 910mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SC-88
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 440mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 550mW
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.3nC
	Tensión directa Vf 0.76V
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.2mm
	Anchura 1.35 mm
	Altura 1mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet NTJD4401NT1G

COO (País de Origem):: CN

This N-Channel dual device was designed with a small footprint package (2x2 mm) with ON Semiconductor's leading planar process for small footprint and increased efficiency. The low figure of merit is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.

Small Footprint (2 x 2 mm)

Low Gate Charge N-Channel Device

ESD Protected Gate

Same Package as SC-70 (6 Leads)

Applications:

Load Power Switching

Li-Ion Battery Supplied Devices

DC-DC Conversion

Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal NTJD4401NT1G, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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