Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 184-1064
- Referência do fabricante:
- NTJD4401NT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Pequeña señal | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 910mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 440mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.76V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 550mW | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Pequeña señal | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 910mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 440mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.76V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 550mW | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Longitud 2.2mm | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
This N-Channel dual device was designed with a small footprint package (2x2 mm) with ON Semiconductor's leading planar process for small footprint and increased efficiency. The low figure of merit is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.
Small Footprint (2 x 2 mm)
Low Gate Charge N-Channel Device
ESD Protected Gate
Same Package as SC-70 (6 Leads)
Applications:
Load Power Switching
Li-Ion Battery Supplied Devices
DC-DC Conversion
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