MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 400 V, ID 1.8 A, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8772
- Referência do fabricante:
- IRFR9310PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8772
- Referência do fabricante:
- IRFR9310PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS-compliant | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS-compliant | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay de canal P es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 400 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 7 ohmios a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 50 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Tecnología de proceso avanzada
• Conmutación rápida
• Valor nominal de avalancha total
• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)
• Categorización del material
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
Aplicaciones
• Cargadores de batería
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
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