MOSFET Infineon IPD30N06S2L23ATMA1, VDSS 55 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 826-9115
- Referência do fabricante:
- IPD30N06S2L23ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 826-9115
- Referência do fabricante:
- IPD30N06S2L23ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 30 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 100 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 33 nC a 10 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 6.22mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 30 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 30 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1.2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 100 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 33 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 6.22mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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