MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFBC40APBF, VDSS 600 V, ID 6.2 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8656
- Referência do fabricante:
- IRFBC40APBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8656
- Referência do fabricante:
- IRFBC40APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 6.71mm | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Anchura | 10.52mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 6.71mm | ||
Longitud 14.4mm | ||
Anchura 10.52mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-220-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 600V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1,20mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 125W mW. El producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Se especifica un coss efectivo
• Capacidad completamente caracterizada y tensión y corriente de avalancha
• Puerta mejorada, avalancha y dv/dt dinámico
• Componente sin plomo (Pb)
• La carga de compuerta baja QG da como resultado un simple requisito de accionamiento
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Conmutación de potencia de alta velocidad
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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