MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SIHP25N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 26 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config.

Código RS:: 180-7790
Referência do fabricante:: SIHP25N50E-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SIHP25N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 26 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config.

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250 - 495	2,38 €	11,90 €
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Código RS:: 180-7790
Referência do fabricante:: SIHP25N50E-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	26A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	500V
	Encapsulado	JEDEC TO-220AB
	Serie	E
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.145Ω
	Disipación de potencia máxima Pd	250W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±30 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	86nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Simple
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	14.4mm
	Altura	6.71mm
	Anchura	10.52 mm
	Número de elementos por chip	1
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 26A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V
	Encapsulado JEDEC TO-220AB
	Serie E
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.145Ω
	Disipación de potencia máxima Pd 250W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Simple
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 14.4mm
	Altura 6.71mm
	Anchura 10.52 mm
	Número de elementos por chip 1
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET DE CANAL N TO-220AB-3 de montaje en orificio pasante Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 145mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 250W mW y una corriente de drenaje continua de 26A A. Tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Baja figura de mérito (FOM): Ron x QG

• Carga de compuerta baja (QG)

• Baja capacitancia de entrada (CISS)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• Reducción de pérdidas de conducción y conmutación

Aplicaciones

• Topologías conmutadas duras

• Fuentes de alimentación ATX/caja plateada para PC

• Fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia (PFC)

• Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

• Iluminación LED de dos etapas

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS probado