MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRLZ34PBF, VDSS 60 V, ID 30 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1
- Código RS:
- 180-8365
- Referência do fabricante:
- IRLZ34PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8365
- Referência do fabricante:
- IRLZ34PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.05Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Altura | 6.48mm | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.05Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Altura 6.48mm | ||
Longitud 14.4mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-220AB-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 50Mohm a una tensión de fuente de puerta de 5V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 88W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Índice dv/dt dinámico
• Facilidad de conexión en paralelo
• Cambio rápido
• Componente sin plomo (Pb)
• Controlador de puerta nivel lógico
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• Requisitos sencillos de la unidad
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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