MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal IRF9Z24PBF, VDSS 60 V, ID 11 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8309
- Referência do fabricante:
- IRF9Z24PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8309
- Referência do fabricante:
- IRF9Z24PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.28Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.28Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 280mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 60W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Índice dv/dt dinámico
• Facilidad de conexión en paralelo
• Cambio rápido
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• avalancha repetitiva
• Requisitos sencillos de la unidad
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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