MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQ2308FES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

486,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 20 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,162 €486,00 €

*preço indicativo

Código RS:
653-059
Referência do fabricante:
SQ2308FES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SQ23

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.15Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.12mm

Anchura

2.64 mm

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación compactas y de baja tensión. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 60 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en un formato SOT-23 de ahorro de espacio, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente en entornos con restricciones térmicas.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Links relacionados

Recently viewed