MOSFET Vishay, Doble N-Canal SI9634DY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 4

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

933,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,311 €933,00 €

*preço indicativo

Código RS:
268-8282
Referência do fabricante:
SI9634DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SI9634DY

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

60 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested

Número de elementos por chip

4

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de 4 generaciones de canal N doble TrenchFET de Vishay es un dispositivo completamente libre de plomo y halógenos. Está optimizado y la relación reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación y se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de motor

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

Links relacionados