MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Aplicaciones
Automoción
Controladores para motor
Convertidores dc-dc
Reguladores de tensión de conmutación
Características
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 80 mΩ (típ) (VGS = -10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = -10 μA (máx.) (VDS = -60 V)
Modo de mejora: Vth = -2,0 a -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)