MOSFET Vishay SIS412DN-T1-GE3

El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 24mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 10W mW y una corriente de drenaje continua de 12A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Interruptores de carga
• Ordenadores portátiles
• Alimentación del sistema

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado